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三幸セミコンダクター株式会社
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電子デバイス

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ISSI社製 SRAM
   

非同期式SRAM

コンフィギュラブルなバス幅:x8, x16, x32
電源 5V/3.3V/1.8V VDD
民生用、産業用、車載用(-40℃ to 125℃)動作温度 サポート
多岐に渡る選択可能なパッケージタイプ:BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
豊富なパッケージラインアップ
(写真例:eSOP8パッケージ)
豊富なパッケージラインアップ(写真例:eSOP8パッケージ)
高速非同期SRAM用にECC搭載
長期供給サポート
 

同期式SRAM

容量密度:4Mb, 9Mb, 18Mb, 36Mb, 72Mb
バス幅;x18, x36, x72
Pipeline, Flow-Through, and No-Wait State (ZBT equivalent)
民生用、 産業用、 車載用動作温度サポート
4Mb製品用には、ECC機能搭載可能
250MHz speed for Pipeline
6.5ns access time for Flow-Through
 

QUAD/QUADP およびDDR-II/DDR-IIP SRAM

容量密度;18Mb, 36Mb, 72Mb
バス幅;x18 または、x36 構成可能
Burst of 2 or Burst of 4
民生用、 産業用、 車載用動作温度サポート
333MHz speed for QUAD and DDR-II
550MHz speed for QUADP and DDR-IIP
ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP
長期供給サポート

 

CellularRAM/Pseudo SRAM

容量密度:8Mb,16Mb, 32Mb, 64Mb
非同期モード、ページモード、バーストモード サポート
低消費電力
産業用、車載用(-40℃ to 85℃) 動作温度サポート
 

HyperRAM™

12ピン HyperBus™ インターフェースによる信号ピン削減
1.8V (166MHz) and 3.0V (100MHz)
最大333MB/sのスループットを実現するDDRオペレーション
産業用、拡張/車載用(-40℃ to 105℃) 動作温度サポート
6mm x 8mm TFBGA Package
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